Исследователи из университета Фудань (Китай) создали новую энергонезависимую флеш-память под названием «PoX», которая устанавливает фантастический рекорд — запись одного бита данных всего за 400 пикосекунд.  Для сравнения, новая технология работает в 10 000 раз быстрее, чем любые существующие на рынке решения.

Ученые отказались от классических кремниевых каналов в пользу двумерного графена и использовали его уникальное свойство — баллистический перенос заряда. Тщательно настроив «гауссову длину» канала, исследователи создали безграничный поток заряда в слой хранения, который полностью обходит классическое узкое место инжекции.

В простых терминах это можно представить так: обычная флеш-память похожа на узкую трубу, через которую вода (заряд) течет крайне медленно из-за сильного сопротивления стенок. Китайские ученые фактически создали сверхскоростной канал без трения, где электроны мчатся практически со скоростью света.

Это как заменить обычную городскую дорогу с пробками и светофорами на многополосное шоссе без единого ограничения скорости.

Традиционные технологии памяти давно уперлись в физические ограничения. SRAM и DRAM хоть и записывают данные относительно быстро (за 1-10 наносекунд), но мгновенно теряют всю информацию при отключении питания.

А обычная флеш-память, хотя и сохраняет данные без электричества, требует непозволительно долгого времени для записи — микро- или даже миллисекунды, что катастрофически медленно для современных ИИ-акселераторов, которым необходимо обрабатывать терабайты параметров в реальном времени.