Китайский производитель полупроводников SMIC приступил к тестированию литографического сканера с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV), созданного отечественной компанией Yuliangsheng из Шанхая. Об этом сообщает Financial Times.

Разработка собственного оборудования стала необходимостью для китайских компаний после введения американских санкций, блокирующих импорт передовых литографических систем. До этого китайские производители чипов в значительной степени зависели от нидерландской компании ASML, которая вынуждена соблюдать ограничения, наложенные США и Европой.

Помимо Yuliangsheng, другая китайская компания SMEE также поставляет DUV-системы собственной разработки, но они уступают по характеристикам новому оборудованию. Первые результаты тестирования сканера Yuliangsheng в SMIC оцениваются как положительные, однако о сроках его внедрения в массовое производство пока говорить рано.

Формально тестируемое оборудование предназначено для изготовления 28-нм чипов, но SMIC планирует использовать его для выпуска 7-нм чипов за счет применения множественных фотомасок и проходов. При благоприятных условиях это же оборудование может быть задействовано и для производства 5-нм чипов.

Стоит отметить, что не все компоненты для DUV-сканеров Yuliangsheng производятся в Китае, поэтому на пути к полному импортозамещению еще предстоит проделать определенную работу. По оценкам специалистов, внедрение нового оборудования в существующую экосистему займет как минимум год после получения его в достаточном количестве.

Параллельно китайская компания SiCarrier, являющаяся акционером Yuliangsheng, экспериментирует с разработкой более передового EUV-оборудования, применяемого для производства самых современных чипов. Однако пока об успехах в этом направлении говорить преждевременно.

SMIC планирует перейти к активному использованию китайского литографического оборудования не ранее 2027 года. Компания Yuliangsheng, основанная недавно, ставит своей целью создание технологий, которые позволят китайским производителям отказаться от западных аналогов и достичь сопоставимого уровня технологического развития.