Samsung представила трёхэтапный план развития памяти HBM. В финале компания хочет объединить память и вычисления в одной конструкции: процессор окажется прямо под стопкой микросхем DRAM.
Новую архитектуру назвали zHBM. Она должна отказаться от привычного соединения через 2,5D-интерпозер — отдельную кремниевую подложку, которая сейчас связывает процессор с расположенной рядом HBM.
HBM — это быстрая память с высокой пропускной способностью. Несколько кристаллов DRAM ставят друг на друга, чтобы данные быстрее поступали к процессору. Такая память используется в системах, которым нужно постоянно перемещать большие объёмы данных, включая вычислительные ускорители.
О плане на конференции Hot Chips 2026 рассказал Сангвук Хан, специалист команды Samsung по проектированию DRAM. Ключевой частью новой конструкции он назвал базовый кристалл — нижний слой стопки HBM, через который память взаимодействует с остальной системой.
Раньше Samsung выпускала базовый и основные кристаллы HBM по одному технологическому процессу, рассчитанному на DRAM. Начиная с HBM4 компания перенесла базовый кристалл на 4-нм логический техпроцесс. Это позволило уменьшить энергопотребление и площадь кристалла, а также разместить на нём более сложную логику.
Именно этот переход стал отправной точкой дорожной карты. Samsung намерена постепенно добавлять в базовый кристалл логические и вычислительные функции, а затем перейти к zHBM, где DRAM будет установлена непосредственно над процессором.
Samsung пока представила архитектурное направление: zHBM остаётся конечной точкой трёхэтапной дорожной карты.
