Нидерландский технологический концерн ASML, единственный в мире производитель литографических сканеров для изготовления передовых полупроводниковых компонентов сообщил, что разработка оборудования с разрешающей способностью 5 нанометров завершится к 2035 году, что позволит производителям чипов перейти на качественно новый уровень полупроводникового производства.

Современные литографические системы ASML обеспечивают разрешение на уровне 8 нанометров за один технологический проход.

В интервью изданию Nikkei Asian Review исполнительный вице-президент ASML по технологиям Джос Беншоп (Jos Benshop) подтвердил уникальное положение компании как единственного поставщика литографических сканеров со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV).

Запланированный на 2035 год выход этой технологии на рынок не только позволит усовершенствовать геометрию полупроводниковых структур, но и существенно ускорит производственные процессы при одновременном повышении качественных показателей выпускаемой продукции.

Параллельно с улучшением разрешающей способности компания работает над увеличением числовой апертуры своего оборудования — ключевого параметра, определяющего возможность создания сверхтонких структур на кремниевых пластинах.

Если стандартные EUV-сканеры имеют числовую апертуру 0,33, то новейшее поколение такого оборудования, относящееся к классу High-NA, характеризуется апертурой 0,55. Дальнейшее повышение значения до 0,7 потребует фундаментального пересмотра архитектуры многих ключевых систем литографических сканеров, что представляет собой значительный технологический вызов.

Несмотря на то, что ASML уже поставляет опытные образцы сканеров класса High-NA EUV таким лидерам отрасли как Intel и TSMC, их широкомасштабное внедрение в производственные процессы ожидается не ранее конца текущего десятилетия или начала следующего.

Этот прогноз основан на историческом опыте компании: базовая технология EUV разрабатывалась с 1997 года, а первые функциональные образцы EUV-систем появились только в 2006 году, несмотря на то, что теоретические принципы их работы были сформулированы еще в середине 1980-х годов.